国家知识产权局信息数据显现，广西飓芯科技有限责任公司请求一项名为“一种半导体激光芯片”的专利，公开号CN121355699A，请求日期为2025年9月。
专利摘要显现，本发明触及一种半导体激光芯片，由下至上依次为包含衬底、N型半导体层、量子阱层、P型半导体层、耗尽区调理层、绝缘层、P面电极，所述耗尽区调理层坐落P型半导体层和绝缘层之间。该半导体激光芯片经过设置耗尽区调理层为金属层，而且耗尽区调理层的功函数小于P型半导体层的功函数，耗尽区调理层与P型半导体层的连接区为肖特基触摸区，使用肖特基触摸的电压调理机制，经过对耗尽区调理层加电压作用于触摸界面时，势垒高度变大，增大耗尽区的规模，能够将空穴的活动鸿沟与触摸界面的鸿沟摆开，更好的约束空穴溢出，下降激光器的漏电流，从而下降激光器的阈值电流，进步激光器的发光功率。
天眼查资料显现，广西飓芯科技有限责任公司，成立于2020年，坐落柳州市，是一家以从事化学原料和化学制品制造业为主的企业。企业注册资本10300万人民币。经过天眼查大数据分析，广西飓芯科技有限责任公司参加招投标项目10次，专利信息26条，此外企业还具有行政许可19个。
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